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    Nexperia推出大功率GaN场效应晶体管 具成本优势
    时间:2020-04-10  来源:www.jfqx.com  阅读:1696

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    (来源:Nexperia官方网站)

    据国外媒体报道,功率和分立器件专家Nexperia介绍了第一个采用硅上氮化镓技术的大功率氮化镓场效应晶体管。

    Nexperia的MOS分立器件业务集团总经理托尼韦尔斯卢伊杰斯(Toni Versluijs)表示:“Nexperia已准备好进入高压领域,因此这一战略举措已经启动。目前,我们可以提供适合电动汽车功率半导体应用的技术。我们的氮化镓技术已经可以大规模生产,以满足大规模应用的需求。汽车行业是Nexperia的重点领域,随着电动汽车取代传统内燃机成为个人和公共交通的首选车辆,预计未来20年汽车行业将大幅增长。”该工艺在大的硅衬底上产生一个氮化镓厚外延层,并获得适当的外延性能。因此,标准的150毫米晶圆生产线可用于初级生产,具有大规模生产所需的可扩展性和成本优势。650伏GAN063-650WSA的栅极电压为20伏,工作温度在-55℃至175℃之间。这可以减少损耗、支持频率切换并提高功率效率。重要的是,该产品采用行业通用的标准TO-247封装,便于设计人员操作,提高产品性能。

    GAN063-650WSA GaN场效应晶体管是Nexperia的GAN系列器件中的第一款产品,适用于汽车、通信基础设施和工业领域。

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